R510X
R6100
R6101
R6101C
R6300
R6301
R5100
R5101
R5100D
R5300
R5301
R5300D
J5100
J5300
J5110
J5310
J5101
J5301
X2900
X2900P
H3900
J5000
J5060
DP808
DP816
DP608
DP616
| 产品型号 | R5101 | R5100 | R5110 | ||||||||||
| 容量(TB) | 1.92 | 3.84 | 7.68 | 15.36 | 3.84 | 7.68 | |||||||
| 形态 | U.2 15mm | AIC | |||||||||||
| 接口 | PCIe 4.0 x 4, NVMe 1.4a | PCIe 4.0, NVMe 1.4a | |||||||||||
| 128KB顺序读带宽(MB/s) | 6200 | 7400 | 7400 | 7400 | 9800 | 12700 | |||||||
| 128KB顺序写带宽(MB/s) | 2600 | 5350 | 5500 | 6400 | 5400 | 5900 | |||||||
| 随机读(4KB)KIOPS | 1000 | 1750 | 1750 | 1750 | 1720 | 1850 | |||||||
| 随机写(4KB)KIOPS | 120 | 240 | 280 | 300 | 270 | 300 | |||||||
| 4K随机读写延时(µs) | 65/9 | 65/9 | 69/7 | 65/9 | |||||||||
| 4K顺序读写延时(µs) | 8/9 | 8/9 | 8/9 | 8/9 | |||||||||
| 典型功耗(W) | 17.5 | 22 | 18 | 19 | |||||||||
| 空闲功耗(W) | 6 | 6.5 | 6.5 | 7 | |||||||||
| 介质 | 3D eTLC NAND Flash, 4plane | 3D eTLC NAND Flash, 2plane | 3D eTLC NAND Flash | 3D eTLC NAND Flash | |||||||||
| 寿命DWPD | 1 | ||||||||||||
| MTBF | 200万小时 | ||||||||||||
| UBER | 1 sector per 10^17 bits read | ||||||||||||
| 质保 | 5 年 | ||||||||||||
| 产品型号 | R5100D（双端口） | ||||||
| 容量(TB) | 3.84 | 7.68 | 15.36 | ||||
| 形态 | U.2 15mm | ||||||
| 接口 | PCIe 4.0 2 × 2, NVMe 1.4a, 双端口 | ||||||
| Port | Port0 | Port1 | Port0 | Port1 | Port0 | Port1 | |
| 128KB顺序读带宽(MB/s) | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | |
| 128KB顺序写带宽(MB/s) | 1400 | 1400 | 2750 | 2750 | 3100 | 3100 | |
| 随机读(4KB)KIOPS | 650 | 650 | 650 | 650 | 650 | 650 | |
| 随机写(4KB)KIOPS | 85 | 85 | 140 | 140 | 150 | 150 | |
| 4K随机读写延时(µs) | 65/9 | ||||||
| 4K顺序读写延时(µs) | 8/9 | ||||||
| 典型功耗(W) | 22 | ||||||
| 空闲功耗(W) | 6.5 | ||||||
| 介质 | 3D eTLC NAND Flash, 2plane | ||||||
| 寿命DWPD | 1 | ||||||
| MTBF | 250万小时 | ||||||
| UBER | 1 sector per 10^17 bits read | ||||||
| 质保 | 5 年 | ||||||
