R510X
| 产品型号 | R5101 | R5100 | R5100D（双端口） | ||||||||
| 容量(TB) | 1.92 | 3.84 | 7.68 | 15.36 | 3.84 | 7.68 | |||||
| 形态 | U.2 15mm | U.2 15mm | |||||||||
| 接口 | PCIe 4.0 x 4, NVMe 1.4a | PCIe 4.0 2 × 2, NVMe 1.4a, 双端口 | |||||||||
| Port0 | Port1 | Port0 | Port1 | ||||||||
| 读带宽(MB/s) | 6200 | 7400 | 7400 | 7400 | 3700 | 3700 | 3700 | 3700 | |||
| 写带宽(MB/s) | 2600 | 5350 | 5700 | 6400 | 1500 | 1500 | 2850 | 2850 | |||
| 随机读(4KB)KIOPS | 1000 | 1750 | 1750 | 1750 | 875 | 875 | 875 | 875 | |||
| 随机写(4KB)KIOPS | 120 | 240 | 280 | 320 | 85 | 85 | 140 | 140 | |||
| 4K随机读写延时(µs) | 65/9 | 65/9 | 65/9 | ||||||||
| 4K顺序读写延时(µs) | 8/9 | 8/9 | 8/9 | ||||||||
| 功耗 | 典型: ≤ 17.5 W，空闲: ≤ 6 W | 典型: ≤ 22 W，空闲: ≤ 6.5 W | 典型: ≤ 19.5 W ，空闲: ≤ 6.5 W | ||||||||
| 介质 | KIOXIA 3D NAND,1XX layer,4 plane eTLC | KIOXIA 3D NAND, 1XX layer,2 plane eTLC | KIOXIA 3D NAND,1XX layer, 2 plane eTLC | ||||||||
| 寿命 | 1 DWPD | 1 DWPD | |||||||||
| MTBF | 200万小时 | 200万小时 | |||||||||
| UBER | 1 sector per 10^17 bits read | 1 sector per 10^17 bits read | |||||||||
| 质保 | 5 年 | 5 年 | |||||||||
