高性能低功耗
Haishen3-XL产品采用业界XL-FLASH介质,具备20μs极低读延时,以及850K/350K超高IOPS性能,优化数据缓存与加速、AI训练、大数据分析等业务场景体验。 |

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超高耐久性
超高性能需要超高耐久性,Haishen3-XL采用特殊优化的SLC级别Fast NAND,具备高达30DWPD耐久性。 |
型号 | H3900 |
容量 (TB) | 0.75 | 0.8 | 1.6 |
形态 | U.2 & AIC |
接口协议 | PCIe3.0 x 4 NVMe 1.3 |
闪存类型 | 96L 3D XL-FLASH |
读带宽 (128KB) MB/s | 3500 | 3500 | 3500 |
写带宽 (128KB) MB/s | 2900 | 2900 | 2900 |
随机读 (4KB) KIOPS | 830 | 850 | 840 |
随机写 (4KB) KIOPS | 350 | 280 | 285 |
功耗(Typ./Max) Watt | 8.0/10 | 8.0/10 | 9.0/11 |
4K随机Latency(Typ.)R/W µs | 33/15 | 20/9 |
4K随机Latency(Typ.)R/W µs | 33/15
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寿命 | 30 DWPD
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不可修复故障率 (UBER) | <10-17 |
平均无故障时间 (MTBF) | 2百万小时 |
支持操作系统 | RHEL, SLES, CentOS, Ubuntu, Windows Server, VMware ESXi |
认证 | FCC, CE, ROHS, REACH, WEEE, PCI express, NVM express |
*因系统硬件、设置或软件不同,实际测试结果可能存在差异。

