•低延时，高性能，高一致性
•Flash Raid 2.0技术，容忍更多的flash die失效且不影响业务及性能。
•企业级双端口
•支持最新NVMe 1.4a关键特性
•SED，支持AES/SM2/3/4等，且支持TCG2.0 enterprise规范
•增强型掉电保护技术
•企业级特性，端到端数据保护，VSS，Multi namespace，NVMe MI等
•9级能耗可调
•高可靠性，MTBF 250万小时
DPU600是DapuStor最新自研的智能存储SoC，基于最新12nm Finfet工艺，具有业界领先能耗比，其4K编码提供超强纠错能力，且集成可计算存储平台和基于ASIC加速的机器学习架构，将为未来存储计算系统架构带来重大革新，为用户创造更大价值。
DapuStor Roealsen5系列PCIe Gen4产品相比于DapuStor Haishen系列Gen3产品，在带宽和IOPS等方面有高达100%的提升。在延时方面，由于新的DPU600平台在IO路径上进行了多项优化，Roealsen5系列产品在读写混合业务下的延时和QoS都有明显的提升。
采用KIOXIA最新的极高能效比的3D NAND Flash企业级颗粒，通过创新机器学习技术，从系统层面减少错误概率，在复杂的场景中，及时预测场景，预防系统性失效。
得益于DPU600内置应用处理器及DPU-Link异构计算接口，用户可基于DPU600运行High level OS，快速方便移植应用和算法，为数据库、AI、大数据等应用进行加速，提升系统效率。
PCN (Product Code Name) | DapuStor R5100 | DapuStor R5300 |
| 容量(TB) | 3.84 | 7.68 | 15.36 | 3.2 | 6.4 | 12.8 |
| 形态 | U.2 15mm |
| 接口 | PCIe 4.0 x 4, NVMe 1.4a
|
| 读带宽(MB/s) | 7400 | 7400 | 7400 | 7400 | 7400 | 7400 |
| 写带宽(MB/s) | 3000 | 5700 | 7000 | 3000 | 5700 | 7000 |
| 随机读(4KB)KIOPS | 1750
| 1750 | 1750 | 1750 | 1750 | 1750 |
| 随机写(4KB)KIOPS | 170 | 280 | 300 | 340 | 550 | 540 |
| 随机读写延时(µs) | 65/10 |
| 顺序读写延时(µs) | 8/10
|
| 功耗 | 工作: ≤ 22 w，空闲: ≤ 7 w |
| 介质 | KIOXIA 3D NAND, 112 layer, 2 plane Enterprise TLC |
| 寿命 | 1 DWPD | 3 DWPD
|
| MTBF | 250万小时
|
| UBER | 1 sector per 10^17 bits read |
| 质保 | 5年
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PCN (Product Code Name) | DapuStor R5101 | DapuStor R5301 |
容量 | 1.92TB | 3.84 TB | 1.6TB
| 3.2 TB |
形态 |
U.2 15mm |
接口 |
PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4a |
读带宽(MB/S) | 6200 | 7400 | 6200 | 7400 |
写带宽(MB/S) | 2600 | 5350 | 2600 | 5350 |
随机读(4KB)KIOPS | 1000 | 1750 | 1000 | 1750 |
随机写(4KB)KIOPS | 120 | 240 | 240 | 540 |
随机读写延时(µs) | 65/10 |
顺序读写延时(µs) | 8/10
|
功耗 | 工作: ≤ 12 w，空闲: ≤ 6.5 w |
介质 | KIOXIA 3D NAND, 112 layer, 4 plane Enterprise TLC |
寿命 | 1 DWPD | 3 DWPD |
MTBF | 250万小时 |
UBER | 1 sector per 10^17 bits read |
质保 | 5年 |
*因系统硬件、设置或软件不同，实际测试结果可能存在差异。